Row Precharge Delay (tRP):11
Дополнительная информация:-
описание:Память CD3-US04G16M11-01 от CBR
Модель:CD3-US04G16M11-01
Объем одного модуля (ГБ):4
manufacturerCountry:КИТАЙ
название:CBR DDR3 DIMM (UDIMM) 4GB CD3-US04G16M11-01 PC3-12800, 1600MHz, CL11, 1.5V
Напряжение (В):1.5
RAS to CAS Delay (tRCD):11
GTIN:06973720602653